Топ новости
Топ Новости

Applied Material: Через три года память 3D NAND будет содержать более 140 слоев ячеек — ITC.ua

0 1

Applied Material: Через три года память 3D NAND будет содержать более 140 слоев ячеек - ITC.ua

На сегодняшний день самая передовая серийно выпускаемая флэш-память NAND с вертикальной объемной компоновкой имеет 64-слойную структуру (лишь SK Hynix делает 72-слойные чипы флэш-памяти 3D NAND). В рамках конференции International Memory Workshop 2018 (IMW) специалисты Applied Material обрисовали ближайшие перспективы развития рынка флэш-памяти.

Applied Material: Через три года память 3D NAND будет содержать более 140 слоев ячеек - ITC.ua

Итак, к концу этого года ожидается освоение серийного выпуска 96-слойных микросхем. Подобные микросхемы будут представлять собой два 48-слойных кристалла, объединенных в единый стек. Оставляя в стороне все технологически сложности, которые предстоит преодолеть, толщина слоя при этом должна снизиться до 55 нм с нынешних 60 нм, а толщина самого кристалла увеличится с 4,5 мкм до 5,5 мкм. Предположительно, увеличение числа слоев до 96 штук позволит довести объем одной микросхемы до 256 и даже 512 ГБ. То есть, объемы SSD продолжат расти, а цены – падать (в теории).

Applied Material: Через три года память 3D NAND будет содержать более 140 слоев ячеек - ITC.uaApplied Material: Через три года память 3D NAND будет содержать более 140 слоев ячеек - ITC.uaApplied Material: Через три года память 3D NAND будет содержать более 140 слоев ячеек - ITC.uaApplied Material: Через три года память 3D NAND будет содержать более 140 слоев ячеек - ITC.ua

Еще более впечатляющим видится прогноз Applied Material касательно выпуска в 2021 году (всего через три года) памяти 3D NAND с количеством слоев свыше 140! Это позволит еще сильнее повысить плотность размещения ячеек и, следовательно, увеличить объем памяти. Правда, создание подобной памяти потребует внесения существенных изменений. И в данном случае речь не только о формировании стеков из более чем двух кристаллов с применением технологии размещения контактной группы под микросхемой CUA (CMOS Under Array), потребуется новая структура затворов и новые материалы. Как вариант решения – переход к металлическим затворам.

Источник: ComputerBase.de и PC Watch

Новости Hi-Tech на itc.ua

Вам также могут понравиться

Оставьте ответ

Ваш электронный адрес не будет опубликован.